Fotonaponski solarni paneli SOLE Extreme imaju visoku učinkovitost u rasponu cijelog svjetlosnog spektra. Posebno ističemo visoku učinkovitost u uvjetima slabog svjetla ( npr. oblačno vrijeme).
Proizvođač daje jamstvo na solarne panele u trajanju od 10 godina i to za greške u proizvodnji i za učinkovitost solarnog panela od 90% te jamstvo od 30 godina za učinkovitost solarnog panela od minimalno 81%.
Fotonaponski solarni kolektori (paneli) imaju certifikate međunarodno priznatih ispitnih laboratorija (npr. TUV, ZDHY, SGS, BRE global), i dokaz pridržavanja međunarodnih sigurnosnih standarda, dugoročne učinkovitosti i cjelokupne kvalitete proizvoda (ISO, CE, IEC, EN, MCS
Fotonaponske ploče iz silicija se izvode u više morfoloških oblika kao monokristalne, polikristalne i amorfne.
Monokristalne Si ploče
Ovaj tip ploče može pretvoriti 1000 W/m2 sunčevog zračenja u 140 W električne energije, s površinom ploče od 1 m2. Za proizvodnju monokristalnih Si ćelija potreban je apsolutno čisti poluvodički materijal. Monokristalni štapići se izvade iz rastaljenog silicija i režu na tanke pločice. Takav način izrade omogućuje relativno visokistupanj iskorištenja. [5]
Polikristalne Si ploče [uredi]
Ovaj tip ploče može pretvoriti 1000 W/m2 sunčevog zračenja u 130 W električne energije s površinom ploče od 1 m2. Proizvodnja ovih ploča je ekonomski efikasnija u odnosu na monokristalne. Tekući silicij se ulijeva u blokove koji se zatim režu u ploče. Tijekom skrućivanja materijala stvaraju se kristalne strukture različitih veličina, na čijim granicama se pojavljuju greške, pa zbog tog razloga sunčeva fotonaponska ćelija ima manji stupanj iskorištenja.
Amorfne Si ploče [uredi]
Ovaj tip ploče može pretvoriti 1000 W/m2 sunčevog zračenja u 50 W električne energije s površinom ćelija od 1 m2. Ukoliko se tanki film silicija stavi na staklo ili neku drugu podlogu, to se naziva amorfna ili tankoslojna ćelija. Debljina sloja iznosi manje od 1 µm, stoga su troškovi proizvodnje manji u skladu sa niskom cijenom materijala. Međutim stupanj iskorištenja amorfnih ćelija je puno niža u usporedbi s drugim tipovima ćelija. Prvenstveno se koristi u opremi gdje je potrebna mala snaga (satovi, džepna računala) ili kao element fasade nazgradama. [6]
Galij arsenidne GaAs ploče [uredi]
Galij arsenid je poluvodič napravljen iz mješavine galija Ga i arsena As. Pogodan je za upotrebu u višeslojnim i visoko učinkovitim pločama. Širina zabranjene vrpce (engl. band gap) je pogodna za jednoslojne sunčeve ćelije. Ima visoku apsorpciju, pa je potrebna debljina od samo nekoliko mikrometara da bi apsorbirao sunčeve zrake. Relativno je neosjetljiv na toplinu u usporedbi sa silicijevim pločama, te na zračenja. Zbog visoke cijene koristi se u svemirskim programima i u sustavima s koncentriranim zračenjem, gdje se štedi na ćelijama. Projekti koncentriranog zračenja su još u razdoblju istraživanja. Galij indijum fosfidna/galij arsenid (GaInP)/GaAs dvoslojna ćelija ima stupanj iskorištenja od 30% i koristi se u komercijalne svrhe za svemirske aplikacije. Ovaj tip ploče može pretvoriti 1000 W/m2 sunčevog zračenja u 300 W električne energije sa površinom ćelija od 1 m2.
Kadmij telurijeve CdTe ploče [uredi]
Ovaj tip ploče može pretvoriti 1000 W/m2 sunčevog zračenja u 160 W električne energije sa površinom ploče od 1 m2 u labaratorijskim uvjetima. Kadmij teleurid je spoj elementa: metala kadmija i polumetala telurija. Pogodan za upotrebu u tankim fotonaponskim modulima zbog fizikalnih svojstava i jeftinih tehnologija izrade. Usprkos navedenim prednostima zbog kadmijeve otrovnosti i sumnje na kancerogenost nije u širokoj upotrebi.
| ŠIFRA |
Paneli |
| CIJENA |
0,00 kn
|
| |
|
Kol
|
| |
|
|
